Werkende Temperatuur:-55°C ~ 150°C
Materiaal:Silicium
trr:70ns
Werkende Temperatuur:-55°C ~ 150°C
Materiaal:Silicium
trr:70ns
Werkende Temperatuur:-55°C ~ 150°C
Materiaal:Silicium
trr:70ns
Materiaal:Silicium
trr:50ns
pakket:-27
Materiaal:Silicium
trr:70ns
pakket:-27
Type:De Diode van de hoog rendementgelijkrichter
Pakkettype:Door gat
Max. Omgekeerd Voltage:1000V
Materiaal:Silicium
trr:70ns
pakket:-15
Werkende Temperatuur:-55°C ~ 150°C
Materiaal:Silicium
trr:70ns
Type:De Diode van de hoog rendementgelijkrichter
Pakkettype:Door gat
Max. Omgekeerd Voltage:1000V
Materiaal:Silicium
trr:70ns
Pakket:R-3