|
Productdetails:
|
| VBO: | 28-36V | VBO-Type: | 32V |
|---|---|---|---|
| Pakket: | A-405 | IBO: | 100μA |
| Type: | DIAC | Pakkettype: | Door gat |
| Materiaal: | Silicium | Macht: | 150mW |
| Hoog licht: | De Diode van DB6 Db3 405 As,De Diode van DB4 Db3 405 As,Db3 Diode Tweerichtings 405 As |
||
|
BEPROEVINGSOMSTANDIGHEID
|
SYMBOLEN
|
VALUE
|
EENHEDEN
|
|||
| Min. | Type. | Max. | ||||
|
Voortzettingsvoltage
|
C=22nF
|
VBO
|
28 | 32 | 36 |
VOLTS
|
|
De symmetrie van het voortzettingsvoltage
|
C=22nF
|
I+vboi-I-VBOI
|
-3
|
3 |
VOLTS
|
|
|
Dynamisch voortzettingsvoltage
|
(NOTA 1)
|
I D V ± I
|
5 |
VOLTS
|
||
|
Outputvoltage
|
DIAGRAM2
|
VO
|
5 |
VOLTS
|
||
|
Voortzettingsstroom
|
C=22nF
|
IBO
|
100 |
mA
|
||
|
Stijgingstijd
|
DIAGRAM3 |
RT
|
1.5 |
Mej.
|
||
|
Lekkagestroom
|
VR=0.5VBO
|
IB
|
10 |
mA
|
||
|
Machtsdissipatie op gedrukte kring
|
TA=65 C
|
Pd
|
150 |
mw
|
||
|
De herhaalde piekstroom van de op-staat
|
tp=20ms
f=100Hz
|
ITRM
|
2 | A | ||
|
Thermische Weerstanden van Verbinding tegen omringend
|
RQJA
|
400 |
℃/W
|
|||
|
Thermische Weerstanden van Verbinding tegen lood
|
RQJL
|
150 | ℃/W | |||
|
Werkende verbinding en opslagtemperatuurwaaier
|
TJ, TSTG
|
125 | ℃ | |||
Contactpersoon: Ms. Selena Chai
Tel.: +86-13961191626
Fax: 86-519-85109398
