|
Productdetails:
|
| VBO: | 28-36V | VBO-Type: | 32V |
|---|---|---|---|
| Pakket: | -35 glas | IBO: | 100μA |
| Type: | DIAC | Pakkettype: | Door gat |
| Materiaal: | Silicium | Macht: | 150mW |
| Hoog licht: | Diac Db3 Db3bl Diode 100μA,Db3bl Diode 32V 100μA,db3 diac 32V 100μA |
||
|
BEPROEVINGSOMSTANDIGHEID
|
SYMBOLEN
|
VALUE
|
EENHEDEN
|
|||
| Min. | Type. | Max. | ||||
|
Voortzettingsvoltage
|
C=22nF
|
VBO
|
28 | 32 | 36 |
VOLTS
|
|
De symmetrie van het voortzettingsvoltage
|
C=22nF
|
I+vboi-I-VBOI
|
-3
|
3 |
VOLTS
|
|
|
Dynamisch voortzettingsvoltage
|
(NOTA 1)
|
I D V ± I
|
5 |
VOLTS
|
||
|
Outputvoltage
|
DIAGRAM2
|
VO
|
5 |
VOLTS
|
||
|
Voortzettingsstroom
|
C=22nF
|
IBO
|
100 |
mA
|
||
|
Stijgingstijd
|
DIAGRAM3 |
RT
|
1.5 |
Mej.
|
||
|
Lekkagestroom
|
VR=0.5VBO
|
IB
|
10 |
mA
|
||
|
Machtsdissipatie op gedrukte kring
|
TA=65 C
|
Pd
|
150 |
mw
|
||
|
De herhaalde piekstroom van de op-staat
|
tp=20ms
f=100Hz
|
ITRM
|
2 | A | ||
|
Thermische Weerstanden van Verbinding tegen omringend
|
RQJA
|
400 |
℃/W
|
|||
|
Thermische Weerstanden van Verbinding tegen lood
|
RQJL
|
150 | ℃/W | |||
|
Werkende verbinding en opslagtemperatuurwaaier
|
TJ, TSTG
|
125 | ℃ | |||
| Type | Voortzettingsvoltage | Max. Symmetrie van het Voortzettingsvoltage | Max. Piekvoortzettingsstroom | Max. Dynamisch Voortzettingsvoltage | Max. Piekstroom van de op-Staat | Pakket | ||
| V | V | μA | V | A | ||||
| Min. | Type. | Max. | ||||||
| DB3 | 28 | 32 | 36 | 3 | 100 | 5 | 2 | -35 |
| DB4 | 35 | 40 | 45 | 3 | 100 | 5 | 2 | -35 |
| DB6 | 56 | 63 | 70 | 3 | 100 | 5 | 2 | -35 |
| DB́8 | 72 | 80 | 88 | 3 | 100 | 5 | 2 | -35 |
Contactpersoon: Ms. Selena Chai
Tel.: +86-13961191626
Fax: 86-519-85109398
